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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华东某LED概念片产出制造业企业,因产出的过程 中在使用砷化镓、酸洗铟等III-V族类化合物,废池中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等高价属,制作进行处理投资规模1200吨/日。 污废水 组分及来原 MOCVD机 清洁废气 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等有机的材料有机物 激光切打磨废气 :含微米级不锈钢顆粒 化学镀化工废水 :含铜、镍等金屬铝离子 操作技艺具体流程 革新通过"腐蚀破络+高价属收集+膜分离法"整合方法: 预治疗第一单元 :污泥脱水次氯酸钠溶液分离设计重金属络合物 主要解决标段 : 的使用DTCR高价属气体吸附剂型成不阴离子型螯合物 反渗透膜系统性(UF)挪作他用大团伙造成的固体废弃物 反覆盖(RO)脱盐率>98% 淤泥解决单元测试 :离心法脱水情况后转交危废治理治理中心的代理 既定视觉效果 经第3方验测: 总砷含氧量:0.05mg/L(新国标0.5mg/L) 镉成分:0.01mg/L(执行标准0.1mg/L) 水造纸废水处理率:75% 运作成本预算:3.8元/吨水

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