半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
建设项目时代背景
本建设项目地属长半圆中南部某欧洲国家级别半导体器件服务业幼儿园内,企业公司主要的加工8厘米和12厘米晶圆,日产尼桑量完成2万片。发生变化产销量优化,多余的废水治理 方法治理 操作系统已無法拥有安全想要,继续购买专用汽车在线升级改良。建设项目总进行投资约1300万元,设计治理 学习能力为300吨/日,于202一年修建投产。
生活污水物质及源头
该企业公司晶圆小学划片生产工序引起的废污水包括构成左右组成成分:
切割机具体步骤中的使用的碾磨液余留物,通常组成为二氧化反应硅颗粒剂、表面能活力剂和生物碳含有剂
晶圆表面层除污发生的含氟废渣,氟铝离子渗透压在80-120mg/L
一点天价属阳离子如铜、镍等,來来自切开产品受到磨损
有机酸容剂余留,有异丙醇、二甲苯等
pH值震荡很大,基本上在4-10左右
处理工艺步骤流程步骤流程
对於化工废水基本特征,设计制作适用"物理化学预净化补救+生化模式净化补救+深层次净化补救"的组合式生产工艺:
上下调整池
:均衡教育水质监测数据容量,设置成pH在线视频监测数据和自主投加装置
沥青混凝土沉淀物中
:加药系统PAC和PAM,除去透明桌面物和固体物料
气浮单元测试
:分为溶气气浮方法进的一步清掉这些细微颗粒状和有些有机物
什么是生化办理
:适用MBR膜菌物不起作用器,飞灰密度形成在8000-10000mg/L
淬硬层工作
:活性氧炭吸收+反加入生产技术,事关满水后符合标准
活性污泥除理
:板框压滤设备脱水现象,工业废水含水分率降下来60%以内
正确处理功效
程序增强使用后,冒水水生态破坏充分做到《电子元器件工业企业水生态破坏物污染物物准则》(GB39731-2020)很大污染物物卫生防护距离追求:
COD<30mg/L
氟阴离子<5mg/L
悬浮按钮物<10mg/L
血本属贴心的售后服务指标图均不低于规定值
该项目常年可抑制造成的废水减排量约COD 32吨、氟化物8.5吨,中水回用水率以达到75%上面的,为公司可以有水费支出费用约130万元/年。